Läppen und chemisch-mechanisches Polieren (CMP) sind wesentliche Schritte, um eine gleichmäßig ebene Waferoberfläche zu erzeugen. Nach der CMP erhält der Wafer eine spiegelnde Oberfläche.
Um die perfekten mechanischen Eigenschaften der zum Polieren verwendeten Schlämme zu erhalten, können Unternehmen berührungslose Wäge- und Dosiergeräte für die Dosierung verwenden. Das genaue Wiegen der einzelnen Komponenten der Polierschlämme ist entscheidend, um Schäden an Wafern und Waferverarbeitungsanlagen zu vermeiden. Die hochpräzisen Wägeplattformen von METTLER TOLEDO ermöglichen ein Wiegen von bis zu 300 kg mit einer Auflösung von bis zu 750.000 d. Die einfache interne Einstellung der Maschinen sorgt für eine gleichbleibende Chargenqualität. Für Tankwägeanwendungen bis zu 5000 kg sind PowerMount-Wägemodule™ mit einer kompakten Automatisierungsanzeige IND360 ideal. Sie bieten die hohe Genauigkeit, Zuverlässigkeit und Echtzeit-Zustandsüberwachung, die typischerweise für diese Prozesse erforderlich ist.
Diese Lösungen können auch einfach in Ihr System integriert werden, wodurch Ausfallzeiten reduziert und Ihre Arbeit während des Integrationsprozesses vereinfacht wird.
Während des Polierprozesses ist es wichtig, den Prozentsatz der dispergierten Feststoffe in der Schlammmischung in verschiedenen Phasen zu überwachen, um den optimalen Poliergrad zu gewährleisten. Ein Feuchtebestimmer kann dies bei hoher Geschwindigkeit problemlos erreichen.
Die Überwachung des pH-Werts und der Leitfähigkeit von CMP-Slurry ist entscheidend für die Aufrechterhaltung einer stabilen kolloidalen Slurry und die Gewährleistung der Qualität und Konsistenz der Waferoberfläche. Jede geringfügige Änderung des pH-Werts wirkt sich auf die chemische Reaktivität und die Materialabtragsrate der Aufschlämmung aus, während die Leitfähigkeit dazu beiträgt, die elektrischen Wechselwirkungen zwischen dem Wafer und der Aufschlämmung zu überwachen. Um diese Herausforderung zu meistern, bietet METTLER TOLEDO mehrere Inline- und Offline-pH- und Leitfähigkeitssensoren an.
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