icon

化學機械扁平化

矽顆粒是CMP漿液中的主要磨蝕成分。精確監測矽濃度與顆粒尺寸分布,對於確保拋光均勻、防止表面缺陷如刮痕或不均勻,並維持整體流程一致性至關重要。

icon

蝕刻工藝

矽污染可能導致表面粗糙、蝕刻輪廓不規則,以及蝕刻過程中的缺陷。監測矽含量有助於防止不必要顆粒沉積,維持蝕刻均勻性與裝置品質。

icon

外延生長

矽質顆粒可能作為缺陷的成核位點,以促進薄外延層的生長。控制矽污染對於確保高品質外延薄膜至關重要,而這對裝置性能至關重要。

半導體上的水滴

半導體製造中的水循環管理優化

確保超純淨水質的先進解決方案

持有半導體的實驗室分析師

半導體製造的創新

從晶圓加工到最終組裝

Short guide on three advantages of on-line silica monitoring of semiconductor ultrapure water.

On-line Silica Monitoring

For Semiconductor Ultrapure Water

Semiconductor Manufacturing Brochure

Analytical Excellence for Semiconductor Manufacturing Brochure

Key Solutions for Efficient and Safe Manufacturing Processes in the Semiconductor Industry

二氧化矽分析儀2850Si
我想要…
Need assistance?
Our team is here to achieve your goals. Speak with our experts.