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Planarización Químico-Mecánica

Las partículas de sílice son el principal componente abrasivo en las lodos CMP. Es esencial un seguimiento preciso de la concentración de sílice y la distribución del tamaño de las partículas para garantizar un pulido uniforme, prevenir defectos superficiales como arañazos o irregularidades y mantener la consistencia general del proceso.

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Procesos de grabado

La contaminación por sílice puede causar rugosidad superficial, perfiles irregulares de grabado y defectos durante los pasos de grabado. El seguimiento de los niveles de sílice ayuda a mantener la uniformidad del grabado y la calidad del dispositivo al prevenir la deposición de partículas no deseadas.

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Crecimiento epitaxial

Las partículas de sílice pueden actuar como sitios de nucleación para defectos durante el crecimiento de capas épitaxiales delgadas. Controlar la contaminación por sílice es importante para garantizar películas epitaxiales de alta calidad, que son críticas para el rendimiento del dispositivo.

Gota de agua en semiconductores

Optimización de la gestión del ciclo del agua en la fabricación de semiconductores

Soluciones Avanzadas para Garantizar la Calidad del Agua Ultra Pura

Analista de laboratorio sosteniendo un semiconductor

Innovaciones en la fabricación de semiconductores

Desde el procesamiento de obleas hasta el ensamblaje final

Breve guía sobre tres ventajas del monitoreo en línea de sílice de agua ultrapura semiconductora.

Monitoreo de sílice en línea

para agua ultrapura semiconductora

Folleto sobre fabricación de semiconductores

Folleto sobre excelencia analítica para la fabricación de semiconductores

Soluciones clave para procesos de fabricación eficientes y seguros en la industria de los semiconductores

Analizador de sílice 2850Si
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