icon

Planarisation chimico-mécanique

Les particules de silice constituent le principal composant abrasif des boues CMP. Une surveillance précise de la concentration en silice et de la distribution granulométrique est essentielle pour garantir un polissage uniforme, éviter les défauts de surface tels que les rayures ou les irrégularités, et maintenir la cohérence globale du processus.

icon

Procédés de gravure

La contamination par la silice peut entraîner une rugosité de surface, des profils de gravure irréguliers et des défauts pendant les étapes de gravure. La surveillance des niveaux de silice permet de maintenir l'uniformité de la gravure et la qualité des dispositifs en empêchant le dépôt de particules indésirables.

icon

Croissance épitaxiale

Les particules de silice peuvent agir comme sites de nucléation pour les défauts pendant la croissance de couches épitaxiales minces. Il est important de contrôler la contamination par la silice afin de garantir des films épitaxiaux de haute qualité, qui sont essentiels pour les performances des dispositifs.

Goutte d’eau sur un semi-conducteur

Optimisation de la gestion du cycle de l'eau dans la fabrication des semi-conducteurs

Solutions avancées pour garantir une qualité d’eau ultra pure

Analyste de laboratoire tenant un semi-conducteur

Innovations dans la fabrication de semi-conducteurs

Du traitement des plaquettes à l’assemblage final

Petit guide sur les trois avantages de la surveillance en ligne de la silice de l’eau ultrapure des semi-conducteurs.

Surveillance en ligne de la silice

Dédiée à l’eau ultrapure des semi-conducteurs

Brochure sur la fabrication de semi-conducteurs

Brochure sur l’excellence en analyse pour la fabrication de semi-conducteurs

Solutions clés pour des procédés de fabrication efficaces et sûrs dans l’industrie des semi-conducteurs

Je veux...
Besoin d'aide?
Notre équipe est là pour vous aider. Venez discuter avec nos experts.